MCD50-BMCD50-B/3+1/H浪涌

MCD50-B/3+NPE一级浪涌保护器设计依据是MCD50-BMCD50-B/3+1/H浪涌
浪涌保护器MCD 50-B和MCD 125-B/NPE满足标准DIN、VDE 6F5 Part6（Draft 11.89）A1,A2对B类器件的需求条件，以及标准IEC61643-1（02，89）对*Ι级浪涌保护器的要求，他们与后级限压型电涌保护器配合使用时，*设计退耦装置，可以将两较保护器安装在一起。该产品是OBO在间隙型浪涌保护器的多电极石磨堆叠技术新发展。
MCD50-B以其低保护电压水平（Up≤1.31KV）的特性，确保了与MCD50-B/3+NPE一级浪涌保护器与C级浪涌保护器配合使用时，不需要设计退耦装置或者在B级和 C级之间留一定的安装距离。MCD50-BMCD50-B/3+1/H浪涌这样它可以节省**过45%的安装空间，MCD50-B这个特性特别是对紧凑型Z-MC概念有着特殊的贡献。另外，NPE放电间隙MCD125-B/NPE雷击电涌保护器其大通流量的特性在TT、TN-S系统中使用，可以同时作为B和C级浪涌保护器的NPE保护模块，节省费用及安装空间。
新的MCD50-B/3+NPE一级浪涌保护器周可以选择的应用环境是，MCD50-BMCD50-B/3+1/H浪涌需要有紧凑的防雷保护概念或者需要在一个独立的小型机房内安装B和C两级浪涌保护器的环境。MCD50-BMCD50-B+C/3+1/H浪涌
MCD50-B/3+NPE一级浪涌保护器参数